IPTG011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 416.15 грн |
| 10+ | 267.64 грн |
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Технічний опис IPTG011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 408A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.
Інші пропозиції IPTG011N08NM5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPTG011N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET > 60-80V |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPTG011N08NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 408A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPTG011N08NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 408A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPTG011N08NM5ATMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPTG011N08NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPTG011N08NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: OptiMOS 5
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)