Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTG014N10NM5ATMA1
IPTG014N10NM5ATMA1

IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+251.66 грн
500+238.73 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 1300 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 366A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm.

Інші пропозиції IPTG014N10NM5ATMA1 за ціною від 204.12 грн до 389.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 28267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.66 грн
500+238.73 грн
1000+224.62 грн
10000+204.12 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.66 грн
500+238.73 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.49 грн
50+380.08 грн
200+379.14 грн
500+364.69 грн
1000+302.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 INFINEON 3328485.pdf Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 1300 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 INFINEON 3328485.pdf Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 1300 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 28267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+251.66 грн
500+238.73 грн
1000+224.62 грн
10000+204.12 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+251.66 грн
500+238.73 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+389.49 грн
50+380.08 грн
200+379.14 грн
500+364.69 грн
1000+302.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 3328485.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 1300 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 3328485.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 1300 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.