Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTG014N10NM5ATMA1
IPTG014N10NM5ATMA1

IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPTG014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f74d57d58
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 366A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+211.97 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 1300 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 366A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm.

Інші пропозиції IPTG014N10NM5ATMA1 за ціною від 205.94 грн до 549.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+253.91 грн
500+240.86 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 28267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+253.91 грн
500+240.86 грн
1000+226.62 грн
10000+205.94 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+253.91 грн
500+240.86 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+392.97 грн
50+383.48 грн
200+382.53 грн
500+367.95 грн
1000+305.10 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f74d57d58 Description: MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 366A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.18 грн
10+357.34 грн
50+283.97 грн
100+244.34 грн
500+234.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 INFINEON 3328485.pdf Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 1300 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 IPTG014N10NM5ATMA1 INFINEON 3328485.pdf Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 1300 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+253.91 грн
500+240.86 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 28267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+253.91 грн
500+240.86 грн
1000+226.62 грн
10000+205.94 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+253.91 грн
500+240.86 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 infineoniptg014n10nm5datasheetv0200en.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+392.97 грн
50+383.48 грн
200+382.53 грн
500+367.95 грн
1000+305.10 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon-IPTG014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f74d57d58
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 366A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+549.18 грн
10+357.34 грн
50+283.97 грн
100+244.34 грн
500+234.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 3328485.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 1300 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG014N10NM5ATMA1 3328485.pdf
IPTG014N10NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 1300 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.