IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 366A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 155.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 366A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPTG014N10NM5ATMA1 за ціною від 144.48 грн до 378.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTG014N10NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 366A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPTG014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPTG014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
на замовлення 28267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPTG014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPTG014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPTG014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 366A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V |
на замовлення 3259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPTG014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 8593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPTG014N10NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 366A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPTG014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPTG014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
товару немає в наявності |