Продукція > INFINEON > IPTG020N13NM6ATMA1
IPTG020N13NM6ATMA1

IPTG020N13NM6ATMA1 INFINEON

4334667.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+474.05 грн
500+394.60 грн
1000+341.02 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTG020N13NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, Dauer-Drainstrom Id: 297A, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IPTG020N13NM6ATMA1 за ціною від 267.13 грн до 653.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTG020N13NM6ATMA1 IPTG020N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPTG020N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.70 грн
10+391.92 грн
100+319.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG020N13NM6ATMA1 IPTG020N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_03_12_2024_IPTG020N13NM6_Rev2_0-3422121.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.45 грн
10+433.03 грн
100+298.07 грн
500+282.22 грн
1800+267.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG020N13NM6ATMA1 IPTG020N13NM6ATMA1 Виробник : INFINEON 4334667.pdf Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+653.51 грн
50+571.40 грн
100+474.05 грн
500+394.60 грн
1000+341.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG020N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPTG020N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG020N13NM6ATMA1 IPTG020N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPTG020N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.