Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTG025N08NM5ATMA1

IPTG025N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPTG025N08NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 51431145-3
Price: 333.91 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPTG025N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791759b20e114d

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	333.91 грн
10+	212.77 грн
50+	166.01 грн
100+	141.66 грн
500+	123.32 грн

В кошику од. на суму грн.

Товар під замовлення

Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.

термін постачання: 21-31 дні (днів)

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPTG025N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET, Type of transistor: N-MOSFET.

Інші пропозиції IPTG025N08NM5ATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
IPTG025N08NM5ATMA1	Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 184A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн.
IPTG025N08NM5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs IFX FET > 60-80V	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн.
IPTG025N08NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн.

IPTG025N08NM5ATMA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1800 шт

В кошику од. на суму грн.

IPTG025N08NM5ATMA1

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1800 шт

В кошику од. на суму грн.

IPTG025N08NM5ATMA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1800 шт

В кошику од. на суму грн.