IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 264A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 395W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.
Інші пропозиції IPTG025N15NM6ATMA1 за ціною від 257.47 грн до 582.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTG025N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
на замовлення 3221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPTG025N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPTG025N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPTG025N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V |
на замовлення 7091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPTG025N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 5623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPTG025N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 264A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 395W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
на замовлення 1672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPTG025N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 1672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPTG025N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 421.95 грн |
| 100+ | 400.73 грн |
| 500+ | 379.52 грн |
| 1000+ | 345.51 грн |
| IPTG025N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 421.95 грн |
| 100+ | 400.73 грн |
| IPTG025N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 509.05 грн |
| IPTG025N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
на замовлення 7091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 582.37 грн |
| 10+ | 381.24 грн |
| 50+ | 304.33 грн |
| 100+ | 262.40 грн |
| 500+ | 257.47 грн |
| IPTG025N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPTG025N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPTG025N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)