Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTG029N13NM6ATMA1
IPTG029N13NM6ATMA1

IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies

IPTG029N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+202.56 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA, Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V.

Інші пропозиції IPTG029N13NM6ATMA1 за ціною від 196.85 грн до 424.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPTG029N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.93 грн
10+293.17 грн
100+238.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_03-12-2024_IPTG029N13NM6_Rev2.0.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.74 грн
10+319.90 грн
100+228.01 грн
250+227.25 грн
500+226.49 грн
1000+206.73 грн
1800+196.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG029N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPTG029N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.