IPTG044N15NM5ATMA1

IPTG044N15NM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPTG044N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d2c620445a46 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 235µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 75 V
на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+179.55 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTG044N15NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0036 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPTG044N15NM5ATMA1 за ціною від 162.52 грн до 626.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTG044N15NM5ATMA1 IPTG044N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTG044N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d2c620445a46 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 235µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 75 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.17 грн
10+287.68 грн
100+207.39 грн
500+162.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG044N15NM5ATMA1 IPTG044N15NM5ATMA1 Виробник : INFINEON 3811989.pdf Description: INFINEON - IPTG044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0036 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+446.23 грн
50+397.53 грн
100+351.43 грн
250+330.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG044N15NM5ATMA1 IPTG044N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPTG044N15NM5_DataSheet_v02_01_EN-3362958.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.77 грн
10+315.65 грн
100+235.58 грн
500+226.78 грн
1800+171.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG044N15NM5ATMA1 IPTG044N15NM5ATMA1 Виробник : INFINEON 3811989.pdf Description: INFINEON - IPTG044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0036 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+626.53 грн
5+536.79 грн
10+446.23 грн
50+397.53 грн
100+351.43 грн
250+330.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG044N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptg044n15nm5-datasheet-v02_00-en.pdf SP005676948
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG044N15NM5ATMA1 IPTG044N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptg044n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.