IPTG054N15NM5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0044 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 259.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTG054N15NM5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0044 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPTG054N15NM5ATMA1 за ціною від 156.14 грн до 481.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTG054N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 191µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 75 V |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPTG054N15NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0044 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 143A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPTG054N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPTG054N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPTG054N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005676952 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IPTG054N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 191µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |