IPTG054N15NM5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 191µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 380.25 грн |
| 10+ | 243.86 грн |
| 100+ | 174.29 грн |
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Технічний опис IPTG054N15NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm.
Інші пропозиції IPTG054N15NM5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPTG054N15NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 143A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPTG054N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPTG054N15NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 143A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPTG054N15NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
Description: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPTG054N15NM5ATMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPTG054N15NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
Description: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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термін постачання 21-31 дні (днів)