IPTG063N15NM5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0051 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 224.48 грн |
| 500+ | 177.79 грн |
| 1000+ | 148.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTG063N15NM5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0051 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPTG063N15NM5ATMA1 за ціною від 148.55 грн до 421.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0051 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005676956 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |