IPTG063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.83 грн |
| 10+ | 276.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTG063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0051 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPTG063N15NM5ATMA1 за ціною від 171.00 грн до 420.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0051 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0051 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005676956 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPTG063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |