Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPTG111N20NM3FDATMA1

IPTG111N20NM3FDATMA1

Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea
Код товару: 200303
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPTG111N20NM3FDATMA1 за ціною від 504.01 грн до 504.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies infineon-iptg111n20nm3fd-datasheet-v02_00-en.pdf OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+504.01 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPTG111N20NM3FD_DataSheet_v02_00_EN-2329033.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 INFINEON 3328486.pdf Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 9000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 INFINEON 3328486.pdf Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 9000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 infineon-iptg111n20nm3fd-datasheet-v02_00-en.pdf
IPTG111N20NM3FDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+504.01 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon_IPTG111N20NM3FD_DataSheet_v02_00_EN-2329033.pdf
IPTG111N20NM3FDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 3328486.pdf
IPTG111N20NM3FDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 9000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 3328486.pdf
IPTG111N20NM3FDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 9000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.