Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPTG111N20NM3FDATMA1

IPTG111N20NM3FDATMA1

Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea
Код товару: 200303
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPTG111N20NM3FDATMA1 за ціною від 223.29 грн до 594.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptg111n20nm3fd-datasheet-v02_00-en.pdf OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+496.13 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 0.009 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+544.35 грн
100+533.05 грн
500+448.47 грн
1000+362.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 0.009 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+563.74 грн
10+544.35 грн
100+533.05 грн
500+448.47 грн
1000+362.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.85 грн
10+368.75 грн
100+270.10 грн
500+223.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPTG111N20NM3FD_DataSheet_v02_00_EN-2329033.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.43 грн
10+417.96 грн
25+362.75 грн
100+284.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptg111n20nm3fd-datasheet-v02_00-en.pdf OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptg111n20nm3fd-datasheet-v02_00-en.pdf OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.