Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTG210N25NM3FDATMA1
IPTG210N25NM3FDATMA1

IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPTG210N25NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa52f0487dfb Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+298.53 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG210N25NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 77 A, 0.0182 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0182ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPTG210N25NM3FDATMA1 за ціною від 269.78 грн до 682.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTG210N25NM3FDATMA1 IPTG210N25NM3FDATMA1 Виробник : INFINEON 3328487.pdf Description: INFINEON - IPTG210N25NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 77 A, 0.0182 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+497.27 грн
50+437.29 грн
100+380.36 грн
250+367.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 IPTG210N25NM3FDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTG210N25NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa52f0487dfb Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+557.31 грн
10+382.63 грн
100+291.78 грн
500+269.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 IPTG210N25NM3FDATMA1 Виробник : INFINEON 3328487.pdf Description: INFINEON - IPTG210N25NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 77 A, 0.0182 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+674.28 грн
5+586.19 грн
10+497.27 грн
50+437.29 грн
100+380.36 грн
250+367.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 IPTG210N25NM3FDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPTG210N25NM3FD_DataSheet_v02_00_EN-3165717.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.41 грн
10+576.45 грн
100+417.59 грн
250+404.38 грн
500+368.42 грн
1000+331.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.