Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPU50R1K4CEAKMA1
IPU50R1K4CEAKMA1

IPU50R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD50R1K4CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 416723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2049+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU50R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPU50R1K4CEAKMA1 за ціною від 12.27 грн до 12.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPU50R1K4CEAKMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0002262916-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEAKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 416723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1973+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 1973
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R1K4CEAKMA1 IPU50R1K4CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50R1K4CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7 Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R1K4CEAKMA1 IPU50R1K4CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50R1K4CE-DS-v02_04-EN-1227191.pdf MOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.