IPU50R3K0CEAKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEAKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 9.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU50R3K0CEAKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPU50R3K0CEAKMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPU50R3K0CEAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPU50R3K0CEAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |