Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPU60R1K0CEAKMA2
IPU60R1K0CEAKMA2

IPU60R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies

888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU60R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPU60R1K0CEAKMA2 за ціною від 24.20 грн до 24.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPU60R1K0CEAKMA2 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPU60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c897d71e96 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K0CEAKMA2 - IPU60R1K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K0CEAKMA2 IPU60R1K0CEAKMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU60R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c897d71e96 Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K0CEAKMA2 IPU60R1K0CEAKMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU60R1K0CE_DS_v02_02_EN-3165536.pdf MOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.