IPU60R1K4C6AKMA1

IPU60R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPU60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304335c2937a0135ed95b6483119 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
989+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 989
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU60R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPU60R1K4C6AKMA1 за ціною від 25.36 грн до 25.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPU60R1K4C6AKMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS17573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K4C6AKMA1 - IPU60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
953+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 953
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K4C6AKMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipu60r1k4c6_1.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K4C6AKMA1 IPU60R1K4C6AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304335c2937a0135ed95b6483119 Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.