Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IPU60R2K0C6BKMA1
IPU60R2K0C6BKMA1

IPU60R2K0C6BKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

INFN-S-A0001301385-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K0C6BKMA1 - IPU60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
950+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU60R2K0C6BKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V, Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPU60R2K0C6BKMA1 за ціною від 32.26 грн до 32.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPU60R2K0C6BKMA1 IPU60R2K0C6BKMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPU60R2K0C6_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304335c2937a0135eda173023134 Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 352500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
673+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R2K0C6BKMA1 IPU60R2K0C6BKMA1 Виробник : Infineon Technologies 4740001872959319dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304335c2937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R2K0C6BKMA1 IPU60R2K0C6BKMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPU60R2K0C6_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304335c2937a0135eda173023134 Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.