IPU60R2K1CEAKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.30 грн |
| 75+ | 21.88 грн |
| 150+ | 19.36 грн |
| 525+ | 14.79 грн |
| 1050+ | 13.33 грн |
| 2025+ | 12.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU60R2K1CEAKMA1 Infineon Technologies
Description: CONSUMER, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IPU60R2K1CEAKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPU60R2K1CEAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 3082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPU60R2K1CEAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)