Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPU80R1K2P7AKMA1
IPU80R1K2P7AKMA1

IPU80R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPU80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c201e1f424685 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
502+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 502
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU80R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPU80R1K2P7AKMA1 за ціною від 33.33 грн до 65.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0004583981-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K2P7AKMA1 - IPU80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
575+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPU80R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.96 грн
9+45.47 грн
25+40.36 грн
26+35.26 грн
72+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPU80R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.95 грн
6+56.66 грн
25+48.44 грн
26+42.31 грн
72+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r1k2p7-datasheet-v02_02-en.pdf 800V CoolMOS P7 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r1k2p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r1k2p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c201e1f424685 Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU80R1K2P7_DataSheet_v02_02_EN-3362715.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.