Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPU80R1K4P7AKMA1
IPU80R1K4P7AKMA1

IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies

INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 119009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
640+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 32W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Інші пропозиції IPU80R1K4P7AKMA1 за ціною від 46.27 грн до 93.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies infineon-ipu80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies infineon-ipu80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.21 грн
185+75.99 грн
217+64.98 грн
228+59.50 грн
500+51.54 грн
1000+46.47 грн
1500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 INFINEON INFN-S-A0014637960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPU80R1K4P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 infineon-ipu80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 infineon-ipu80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+89.21 грн
185+75.99 грн
217+64.98 грн
228+59.50 грн
500+51.54 грн
1000+46.47 грн
1500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 INFN-S-A0014637960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon_IPU80R1K4P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.