Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPU80R1K4P7AKMA1
IPU80R1K4P7AKMA1

IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies

infineon-ipu80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-21, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPU80R1K4P7AKMA1 за ціною від 28.85 грн до 89.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPU80R1K4P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.51 грн
10+45.45 грн
75+36.23 грн
150+33.38 грн
525+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies infineon-ipu80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.81 грн
185+76.50 грн
217+65.42 грн
228+59.90 грн
500+51.88 грн
1000+46.78 грн
1500+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies infineon_ipu80r1k4p7_datasheet_en.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7.pdf
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.51 грн
10+45.45 грн
75+36.23 грн
150+33.38 грн
525+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 infineon-ipu80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+89.81 грн
185+76.50 грн
217+65.42 грн
228+59.90 грн
500+51.88 грн
1000+46.78 грн
1500+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 infineon_ipu80r1k4p7_datasheet_en.pdf
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.