IPU80R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU80R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPU80R2K0P7AKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPU80R2K0P7AKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPU80R2K0P7AKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPU80R2K0P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IPU80R2K0P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPU80R2K0P7AKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_NEW
MOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPU80R2K0P7AKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPU80R2K0P7AKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPU80R2K0P7AKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.