IPU80R2K4P7AKMA1

IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
868+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 868
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPU80R2K4P7AKMA1 за ціною від 21.08 грн до 73.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPU80R2K4P7AKMA1 IPU80R2K4P7AKMA1 Виробник : INFINEON 2327440.pdf Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.84 грн
19+44.48 грн
100+30.70 грн
500+23.91 грн
1000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K4P7AKMA1 IPU80R2K4P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU80R2K4P7_DataSheet_v02_02_EN-3362804.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.47 грн
10+63.37 грн
100+38.03 грн
500+31.78 грн
1000+29.21 грн
1500+24.06 грн
4500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K4P7AKMA1 IPU80R2K4P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r2k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K4P7AKMA1 IPU80R2K4P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r2k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K4P7AKMA1 IPU80R2K4P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r2k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K4P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185 IPU80R2K4P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K4P7AKMA1 IPU80R2K4P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185 Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.