Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IPU80R3K3P7AKMA1
IPU80R3K3P7AKMA1

IPU80R3K3P7AKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

INFN-S-A0004583952-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R3K3P7AKMA1 - IPU80R3K3 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
908+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 908
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU80R3K3P7AKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V, Power Dissipation (Max): 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPU80R3K3P7AKMA1 за ціною від 20.53 грн до 68.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPU80R3K3P7AKMA1 IPU80R3K3P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU80R3K3P7_DataSheet_v02_02_EN-3362590.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.66 грн
10+58.12 грн
100+33.69 грн
500+28.25 грн
1000+26.41 грн
1500+21.56 грн
4500+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R3K3P7AKMA1 IPU80R3K3P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r3k3p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R3K3P7AKMA1 IPU80R3K3P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r3k3p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R3K3P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c1098872e3e4f IPU80R3K3P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R3K3P7AKMA1 IPU80R3K3P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c1098872e3e4f Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.