IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon Technologies


infineon-ipu80r4k5p7-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+52.86 грн
324+45.29 грн
341+42.97 грн
500+38.73 грн
1000+33.68 грн
1500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 278 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V, Power Dissipation (Max): 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-21, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPU80R4K5P7AKMA1 за ціною від 20.10 грн до 92.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPU80R4K5P7AKMA1 IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e8ec5bf3073e Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.56 грн
75+32.39 грн
150+28.79 грн
525+22.19 грн
1050+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1 IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPU80R4K5P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+92.16 грн
10+39.45 грн
100+30.47 грн
500+25.13 грн
1000+24.75 грн
1500+23.10 грн
4500+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon-IPU80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e8ec5bf3073e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+78.56 грн
75+32.39 грн
150+28.79 грн
525+22.19 грн
1050+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon_IPU80R4K5P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.16 грн
10+39.45 грн
100+30.47 грн
500+25.13 грн
1000+24.75 грн
1500+23.10 грн
4500+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.