IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 51.15 грн |
| 324+ | 43.83 грн |
| 341+ | 41.58 грн |
| 500+ | 37.48 грн |
| 1000+ | 32.59 грн |
| 1500+ | 31.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V, Power Dissipation (Max): 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-21, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IPU80R4K5P7AKMA1 за ціною від 19.67 грн до 76.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPU80R4K5P7AKMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V |
на замовлення 1514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPU80R4K5P7AKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 2981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPU80R4K5P7AKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.89 грн |
| 75+ | 31.70 грн |
| 150+ | 28.17 грн |
| 525+ | 21.72 грн |
| 1050+ | 19.67 грн |
| IPU80R4K5P7AKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)