IPU80R600P7AKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.61 грн |
| 10+ | 97.93 грн |
| 100+ | 77.95 грн |
| 500+ | 61.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU80R600P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IPU80R600P7AKMA1 за ціною від 139.34 грн до 167.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPU80R600P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 60W; IPAK; ESD Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Case: IPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPU80R600P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 60W; IPAK; ESD Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Case: IPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPU80R600P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
800V CoolMOS P7 Power Transistor |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IPU80R600P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IPU80R600P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IPU80R600P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
товару немає в наявності |