IPU80R750P7AKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.30 грн |
| 10+ | 87.93 грн |
| 100+ | 68.35 грн |
| 500+ | 54.37 грн |
| 1500+ | 44.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU80R750P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IPU80R750P7AKMA1 за ціною від 43.20 грн до 114.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPU80R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
|