Продукція > INFINEON > IPU80R900P7AKMA1
IPU80R900P7AKMA1

IPU80R900P7AKMA1 INFINEON

INFN-S-A0004584015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.07 грн
100+36.32 грн
500+29.66 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU80R900P7AKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPU80R900P7AKMA1 за ціною від 31.45 грн до 140.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.70 грн
10+61.86 грн
23+41.06 грн
63+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU80R900P7_DataSheet_v02_02_EN-3362640.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.97 грн
10+74.55 грн
25+33.44 грн
100+32.83 грн
250+32.76 грн
500+32.37 грн
1000+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.84 грн
10+77.09 грн
23+49.27 грн
63+46.59 грн
1500+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56a1e55e0153 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.74 грн
75+60.62 грн
150+54.38 грн
525+42.69 грн
1050+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r900p7-datasheet-v02_02-en.pdf P7 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r900p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu80r900p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.