IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPU80R900P7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 198 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+85.88 грн
10+65.84 грн
75+54.30 грн
150+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 45W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm.

Інші пропозиції IPU80R900P7AKMA1 за ціною від 30.69 грн до 134.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies infineon-ipu80r900p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
75+47.83 грн
150+42.86 грн
525+33.57 грн
1050+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPU80R900P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.03 грн
10+59.01 грн
100+46.03 грн
500+38.41 грн
1000+34.89 грн
1500+32.49 грн
4500+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 INFINEON INFN-S-A0004584015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.03 грн
14+61.01 грн
100+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 infineon-ipu80r900p7-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.80 грн
75+47.83 грн
150+42.86 грн
525+33.57 грн
1050+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 Infineon_IPU80R900P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.03 грн
10+59.01 грн
100+46.03 грн
500+38.41 грн
1000+34.89 грн
1500+32.49 грн
4500+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 INFN-S-A0004584015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+134.03 грн
14+61.01 грн
100+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.