на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.23 грн |
| 10+ | 62.17 грн |
| 100+ | 45.79 грн |
| 500+ | 45.06 грн |
| 1000+ | 44.77 грн |
| 1500+ | 44.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU95R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPU95R1K2P7AKMA1 за ціною від 33.21 грн до 114.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPU95R1K2P7AKMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPU95R1K2P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPU95R1K2P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPU95R1K2P7 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IPU95R1K2P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |