IPU95R2K0P7AKMA1

IPU95R2K0P7AKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS


Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU95R2K0P7AKMA1 - IPU95R2K0P7 950V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
568+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU95R2K0P7AKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPU95R2K0P7AKMA1 за ціною від 42.15 грн до 116.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPU95R2K0P7AKMA1 IPU95R2K0P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 23457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
487+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 487
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1 IPU95R2K0P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU95R2K0P7_DataSheet_v02_01_EN-3165671.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 621-630 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.73 грн
10+103.22 грн
100+70.55 грн
500+58.12 грн
1000+45.32 грн
1500+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.03 грн
23+48.00 грн
62+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1 IPU95R2K0P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu95r2k0p7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1 IPU95R2K0P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.