Технічний опис IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 73W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.
Інші пропозиції IPU95R750P7AKMA1 за ціною від 56.77 грн до 159.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A Power dissipation: 73W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 56.77 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 238+ | 59.73 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 187+ | 75.98 грн |
| 188+ | 75.60 грн |
| 200+ | 71.62 грн |
| 1000+ | 66.23 грн |
| 1500+ | 63.50 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 140.52 грн |
| 25+ | 99.97 грн |
| 100+ | 89.97 грн |
| 500+ | 74.67 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 159.29 грн |
| 5+ | 113.01 грн |
| 10+ | 98.05 грн |
| 25+ | 81.43 грн |
| 50+ | 71.46 грн |
| 75+ | 66.48 грн |
| 150+ | 64.82 грн |




