| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.25 грн |
| 25+ | 73.92 грн |
| 100+ | 57.80 грн |
| 500+ | 48.77 грн |
| 1000+ | 43.63 грн |
| 1500+ | 41.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 73W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.
Інші пропозиції IPU95R750P7AKMA1 за ціною від 228.42 грн до 228.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPU95R750P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD Case: IPAK Mounting: THT Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A Gate charge: 23nC Power dissipation: 73W On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPU95R750P7AKMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 23nC
Power dissipation: 73W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 23nC
Power dissipation: 73W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.42 грн |