Технічний опис IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 73W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.
Інші пропозиції IPU95R750P7AKMA1 за ціною від 56.26 грн до 157.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD Case: IPAK Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 73W Gate charge: 23nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 5.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 950V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 56.26 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 238+ | 59.20 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 187+ | 75.30 грн |
| 188+ | 74.93 грн |
| 200+ | 70.99 грн |
| 1000+ | 65.65 грн |
| 1500+ | 62.94 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 139.27 грн |
| 25+ | 99.08 грн |
| 100+ | 89.17 грн |
| 500+ | 74.00 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 73W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 950V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 73W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 950V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 157.87 грн |
| 5+ | 112.01 грн |
| 10+ | 97.18 грн |
| 25+ | 80.71 грн |
| 50+ | 70.83 грн |
| 75+ | 65.89 грн |
| 150+ | 64.24 грн |




