IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 375+ | 56.91 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
375 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 73W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.
Інші пропозиції IPU95R750P7AKMA1 за ціною від 57.02 грн до 158.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A Power dissipation: 73W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 57.02 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 238+ | 60.00 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 187+ | 76.32 грн |
| 188+ | 75.94 грн |
| 200+ | 71.94 грн |
| 1000+ | 66.53 грн |
| 1500+ | 63.79 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 141.15 грн |
| 25+ | 100.42 грн |
| 100+ | 90.37 грн |
| 500+ | 75.00 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 158.20 грн |
| 5+ | 112.24 грн |
| 10+ | 97.38 грн |
| 25+ | 80.88 грн |




