IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 51.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPU95R750P7AKMA1 за ціною від 40.58 грн до 174.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD Case: IPAK Mounting: THT Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A Gate charge: 23nC Power dissipation: 73W On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |