IPW50R350CP Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 245+ | 100.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW50R350CP Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-21, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW50R350CP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW50R350CP | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPW50R350CP | Виробник : INF |
TO-247 |
на замовлення 49920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |