Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R016CM8XKSA1
IPW60R016CM8XKSA1

IPW60R016CM8XKSA1 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
Description: IPW60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+919.99 грн
30+717.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R016CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 521W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IPW60R016CM8XKSA1 за ціною від 549.33 грн до 1370.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R016CM8XKSA1 IPW60R016CM8XKSA1 Виробник : INFINEON 4379504.pdf Description: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+989.88 грн
5+919.06 грн
10+848.23 грн
50+743.80 грн
100+625.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1 IPW60R016CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R016CM8_DataSheet_v02_01_EN-3445910.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1020.16 грн
10+815.32 грн
25+660.35 грн
50+631.33 грн
100+604.48 грн
240+574.00 грн
480+549.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1 IPW60R016CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r016cm8-datasheet-v02_01-en.pdf MOSFET Power Transistor
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1272.20 грн
10+1195.95 грн
25+1154.78 грн
50+1083.38 грн
100+974.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1 IPW60R016CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r016cm8-datasheet-v02_01-en.pdf MOSFET Power Transistor
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1370.06 грн
10+1287.94 грн
25+1243.61 грн
50+1166.72 грн
100+1049.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1 IPW60R016CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r016cm8-datasheet-v02_01-en.pdf MOSFET Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW60R016CM8XKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.