Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R017C7XKSA1

IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies

Name: IPW60R017C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 34703930-5
Price: 12601.94 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	663.26 грн
25+	632.63 грн
50+	607.18 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPW60R017C7XKSA1 за ціною від 687.44 грн до 1516.07 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : Infineon Technologies

142infineon-ipw60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	868.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	1248.28 грн
11+	1215.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

на замовлення 669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1266.96 грн
30+	746.77 грн
120+	687.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	1277.44 грн
25+	898.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
240+	1340.02 грн
480+	1305.41 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1382.50 грн
10+	1368.68 грн
25+	962.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 706 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1407.23 грн
25+	865.31 грн
100+	692.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	1425.94 грн
10+	1411.72 грн
25+	902.18 грн
50+	861.23 грн
100+	779.69 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0002363061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1509.13 грн
5+	1319.85 грн
10+	1130.57 грн
50+	874.05 грн
100+	714.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1516.07 грн
10+	1500.90 грн
25+	959.35 грн
50+	915.84 грн
100+	826.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 109A; 446W; TO247; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
30+	1151.88 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.