Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R017C7XKSA1
IPW60R017C7XKSA1

IPW60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 109A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1139.34 грн
2+1012.14 грн
5+997.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 446W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.

Інші пропозиції IPW60R017C7XKSA1 за ціною від 671.82 грн до 1884.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1225.07 грн
30+736.17 грн
120+671.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1356.80 грн
14+1052.90 грн
100+989.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1360.25 грн
10+1055.58 грн
100+992.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R017C7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1447.24 грн
10+893.23 грн
100+739.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0002363061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1448.06 грн
5+1289.36 грн
10+1129.84 грн
50+871.22 грн
100+749.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1884.52 грн
12+1224.06 грн
100+1117.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8
IPW60R017C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1225.07 грн
30+736.17 грн
120+671.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf
IPW60R017C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+1356.80 грн
14+1052.90 грн
100+989.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf
IPW60R017C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1360.25 грн
10+1055.58 грн
100+992.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 Infineon_IPW60R017C7_DS_v02_00_EN.pdf
IPW60R017C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1447.24 грн
10+893.23 грн
100+739.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 INFN-S-A0002363061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R017C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1448.06 грн
5+1289.36 грн
10+1129.84 грн
50+871.22 грн
100+749.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf
IPW60R017C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+1884.52 грн
12+1224.06 грн
100+1117.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.