IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1077.29 грн |
| 16+ | 910.83 грн |
| 100+ | 879.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
14 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 446W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.
Інші пропозиції IPW60R017C7XKSA1 за ціною від 703.81 грн до 1965.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R017C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 109A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 109A Power dissipation: 446W Case: TO247 On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 240nC |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V |
на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPW60R017C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 446W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPW60R017C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1081.68 грн |
| 10+ | 914.54 грн |
| 100+ | 883.42 грн |
| IPW60R017C7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 109A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 109A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1140.98 грн |
| 2+ | 992.17 грн |
| 5+ | 977.22 грн |
| IPW60R017C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 1456.48 грн |
| 100+ | 1383.24 грн |
| IPW60R017C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1463.18 грн |
| 30+ | 887.80 грн |
| 60+ | 825.80 грн |
| 120+ | 726.09 грн |
| 510+ | 703.81 грн |
| IPW60R017C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 1902.28 грн |
| 12+ | 1227.15 грн |
| 100+ | 1135.31 грн |
| IPW60R017C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1965.44 грн |
| 10+ | 1267.89 грн |
| 100+ | 1173.00 грн |
| IPW60R017C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPW60R017C7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)