Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R017C7XKSA1
IPW60R017C7XKSA1

IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies

142infineon-ipw60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+914.41 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPW60R017C7XKSA1 за ціною від 856.98 грн до 2037.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002363061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1497.85 грн
5+ 1369.78 грн
10+ 1241.72 грн
50+ 1116.86 грн
100+ 1018.11 грн
250+ 856.98 грн
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R017C7_DS_v02_00_EN-1731995.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1557.76 грн
10+ 1364.3 грн
25+ 1106.9 грн
50+ 1072.19 грн
100+ 1058.83 грн
480+ 890.6 грн
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 142infineon-ipw60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+2037.96 грн
10+ 1950.2 грн
50+ 1730.11 грн
100+ 1497.48 грн
240+ 1404.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 142infineon-ipw60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
товар відсутній