IPW60R017C7XKSA1

IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies


142infineon-ipw60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPW60R017C7XKSA1 за ціною від 760.71 грн до 1519.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1293.86 грн
20+1259.11 грн
50+1185.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1330.15 грн
25+883.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1413.16 грн
10+1380.86 грн
50+1356.63 грн
100+1136.87 грн
200+1045.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1417.84 грн
10+1403.68 грн
25+887.16 грн
50+853.09 грн
100+760.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1439.52 грн
10+1425.16 грн
25+946.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002363061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1446.24 грн
5+1363.96 грн
10+1282.53 грн
50+1114.52 грн
100+958.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1483.75 грн
30+987.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1519.68 грн
10+1504.46 грн
25+950.89 грн
50+914.42 грн
100+801.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 109A; 446W; TO247; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1144.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R017C7_DS_v02_00_EN-1731995.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.