IPW60R017C7XKSA1

IPW60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 109A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1119.04 грн
2+994.11 грн
5+979.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 600V, 109A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPW60R017C7XKSA1 за ціною від 659.85 грн до 1857.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1203.25 грн
30+723.06 грн
120+659.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1335.42 грн
10+1029.26 грн
100+924.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1338.06 грн
14+1031.30 грн
100+926.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R017C7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1421.46 грн
10+877.31 грн
100+726.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+1857.21 грн
12+1194.26 грн
100+1108.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002363061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 600V, 109A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1399.65 грн
5+1218.74 грн
10+1037.82 грн
50+795.70 грн
100+676.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r017c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 Виробник : Infineon Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8 Trans MOSFET N-CH 600V 109A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.