Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R018CFD7XKSA1
IPW60R018CFD7XKSA1

IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipw60r018cfd7dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 89520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1113.71 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 416W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

Інші пропозиції IPW60R018CFD7XKSA1 за ціною від 610.40 грн до 1447.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R018CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635e133c12291d Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1313.93 грн
30+788.29 грн
120+683.96 грн
510+610.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r018cfd7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1447.53 грн
25+878.17 грн
100+836.10 грн
240+805.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r018cfd7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1447.53 грн
25+878.17 грн
100+836.10 грн
240+805.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 INFINEON 2643896.pdf Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R018CFD7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon-IPW60R018CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635e133c12291d
IPW60R018CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1313.93 грн
30+788.29 грн
120+683.96 грн
510+610.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 infineonipw60r018cfd7dsv0200en.pdf
IPW60R018CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1447.53 грн
25+878.17 грн
100+836.10 грн
240+805.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 infineonipw60r018cfd7dsv0200en.pdf
IPW60R018CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1447.53 грн
25+878.17 грн
100+836.10 грн
240+805.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 2643896.pdf
IPW60R018CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon_IPW60R018CFD7_DS_v02_00_EN.pdf
IPW60R018CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.