
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1016.77 грн |
10+ | 953.85 грн |
25+ | 705.34 грн |
100+ | 663.98 грн |
240+ | 642.21 грн |
480+ | 551.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R024CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.019 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPW60R024CFD7XKSA1 за ціною від 533.58 грн до 1247.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R024CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R024CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7268 pF @ 400 V |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R024CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R024CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R024CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPW60R024CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPW60R024CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |