Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R024P7XKSA1
IPW60R024P7XKSA1

IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipw60r024p7dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+647.69 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 291W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції IPW60R024P7XKSA1 за ціною від 363.12 грн до 1013.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPW60R024P7XKSA1 IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R024P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48730044ab3 Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.65 грн
30+477.28 грн
120+407.83 грн
510+363.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024P7XKSA1 IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r024p7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+874.13 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024P7XKSA1 IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R024P7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+931.66 грн
10+554.42 грн
100+419.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024P7XKSA1 IPW60R024P7XKSA1 INFINEON 2868420.pdf Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 291W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1013.89 грн
5+932.48 грн
10+780.36 грн
50+602.45 грн
100+518.05 грн
250+484.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024P7XKSA1 Infineon-IPW60R024P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48730044ab3
IPW60R024P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+824.65 грн
30+477.28 грн
120+407.83 грн
510+363.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024P7XKSA1 infineonipw60r024p7dsv0200en.pdf
IPW60R024P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
240+874.13 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024P7XKSA1 Infineon_IPW60R024P7_DS_v02_00_EN.pdf
IPW60R024P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+931.66 грн
10+554.42 грн
100+419.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024P7XKSA1 2868420.pdf
IPW60R024P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 291W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1013.89 грн
5+932.48 грн
10+780.36 грн
50+602.45 грн
100+518.05 грн
250+484.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.