Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R031CFD7XKSA1
IPW60R031CFD7XKSA1

IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+635.72 грн
100+604.11 грн
500+572.50 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm.

Інші пропозиції IPW60R031CFD7XKSA1 за ціною від 415.96 грн до 1012.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R031CFD7XKSA1 IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+725.12 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R031CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea44f315531e2 Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.39 грн
30+487.33 грн
120+415.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.56 грн
10+597.05 грн
100+538.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+957.56 грн
24+597.05 грн
100+538.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1006.82 грн
23+622.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1012.00 грн
10+625.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 IPW60R031CFD7XKSA1 INFINEON 2372020.pdf Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R031CFD7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf
IPW60R031CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+725.12 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon-IPW60R031CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea44f315531e2
IPW60R031CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+844.39 грн
30+487.33 грн
120+415.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf
IPW60R031CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+957.56 грн
10+597.05 грн
100+538.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf
IPW60R031CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+957.56 грн
24+597.05 грн
100+538.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf
IPW60R031CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1006.82 грн
23+622.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 infineonipw60r031cfd7dsv0201en.pdf
IPW60R031CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1012.00 грн
10+625.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 2372020.pdf
IPW60R031CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon_IPW60R031CFD7_DS_v02_01_EN.pdf
IPW60R031CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.