на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 529.18 грн |
| 10+ | 498.50 грн |
| 25+ | 475.79 грн |
| 50+ | 441.09 грн |
| 100+ | 398.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R037CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції IPW60R037CM8XKSA1 за ціною від 290.27 грн до 769.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPW60R037CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET Power Transistor |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 329W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Power Transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IPW60R037CM8XKSA1 |
товару немає в наявності |