Інші пропозиції IPW60R037P7XKSA1 за ціною від 249.78 грн до 935.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW60R037P7XKSA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPW60R037P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 158 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPW60R037P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPW60R037P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 292.62 грн |
| IPW60R037P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 68+ | 522.13 грн |
| 100+ | 496.20 грн |
| IPW60R037P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 567.38 грн |
| 2+ | 498.86 грн |
| 5+ | 440.32 грн |
| 10+ | 414.02 грн |
| IPW60R037P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 601.04 грн |
| 30+ | 339.68 грн |
| 120+ | 287.13 грн |
| 510+ | 249.78 грн |
| IPW60R037P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 706.84 грн |
| IPW60R037P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 717.86 грн |
| 10+ | 453.91 грн |
| 100+ | 329.15 грн |
| 480+ | 291.80 грн |
| IPW60R037P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 867.52 грн |
| IPW60R037P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 932.68 грн |
| 10+ | 563.61 грн |
| 100+ | 478.10 грн |
| 480+ | 413.86 грн |
| IPW60R037P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 935.10 грн |
| 18+ | 812.20 грн |







