IPW60R037P7XKSA1


Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bb7bab83ca7
Код товару: 173232
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPW60R037P7XKSA1 за ціною від 249.78 грн до 935.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon TIPW60r037p7_INFINEON_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+292.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+522.13 грн
100+496.20 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R037P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+567.38 грн
2+498.86 грн
5+440.32 грн
10+414.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bb7bab83ca7 Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.04 грн
30+339.68 грн
120+287.13 грн
510+249.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+706.84 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R037P7_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+717.86 грн
10+453.91 грн
100+329.15 грн
480+291.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON 2371114.pdf Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+932.68 грн
10+563.61 грн
100+478.10 грн
480+413.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+935.10 грн
18+812.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 TIPW60r037p7_INFINEON_0001.pdf
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+292.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
68+522.13 грн
100+496.20 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+567.38 грн
2+498.86 грн
5+440.32 грн
10+414.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bb7bab83ca7
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+601.04 грн
30+339.68 грн
120+287.13 грн
510+249.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+706.84 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 Infineon_IPW60R037P7_DS_v02_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+717.86 грн
10+453.91 грн
100+329.15 грн
480+291.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 2371114.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+867.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+932.68 грн
10+563.61 грн
100+478.10 грн
480+413.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+935.10 грн
18+812.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.