Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPW60R037P7XKSA1

IPW60R037P7XKSA1

Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bb7bab83ca7
Код товару: 173232
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPW60R037P7XKSA1 за ціною від 283.40 грн до 1030.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon TIPW60r037p7_INFINEON_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+366.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+522.13 грн
100+496.20 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R037P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 255W
Gate charge: 121nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+640.21 грн
2+558.00 грн
5+483.38 грн
10+413.73 грн
20+404.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bb7bab83ca7 Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.41 грн
30+415.19 грн
120+352.33 грн
510+287.44 грн
1020+283.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+750.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+750.44 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.01 грн
30+609.38 грн
120+517.11 грн
510+485.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1030.02 грн
30+609.37 грн
120+517.11 грн
510+485.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R037P7_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON 2371114.pdf Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 TIPW60r037p7_INFINEON_0001.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+366.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+522.13 грн
100+496.20 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 255W
Gate charge: 121nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+640.21 грн
2+558.00 грн
5+483.38 грн
10+413.73 грн
20+404.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bb7bab83ca7
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+728.41 грн
30+415.19 грн
120+352.33 грн
510+287.44 грн
1020+283.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+750.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+750.44 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1030.01 грн
30+609.38 грн
120+517.11 грн
510+485.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1030.02 грн
30+609.37 грн
120+517.11 грн
510+485.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 Infineon_IPW60R037P7_DS_v02_03_EN.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 2371114.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.