Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R040C7XKSA1
IPW60R040C7XKSA1

IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipw60r040c7dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+604.76 грн
30+599.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Інші пропозиції IPW60R040C7XKSA1 за ціною від 363.92 грн до 882.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r040c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+604.76 грн
30+599.02 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r040c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+670.64 грн
100+637.64 грн
500+603.46 грн
1000+550.08 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c6ece273fe9 Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.62 грн
30+510.93 грн
120+436.72 грн
510+363.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R040C7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001301350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 infineonipw60r040c7dsv0200en.pdf
IPW60R040C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+604.76 грн
30+599.02 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 infineonipw60r040c7dsv0200en.pdf
IPW60R040C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+670.64 грн
100+637.64 грн
500+603.46 грн
1000+550.08 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 Infineon-IPW60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c6ece273fe9
IPW60R040C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+882.62 грн
30+510.93 грн
120+436.72 грн
510+363.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 Infineon_IPW60R040C7_DS_v02_00_EN.pdf
IPW60R040C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 INFN-S-A0001301350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R040C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.