IPW60R041C6FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 684.04 грн |
| 30+ | 616.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R041C6FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 481W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPW60R041C6FKSA1 за ціною від 500.27 грн до 1025.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R041C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPW60R041C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW60R041C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6 |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW60R041C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V |
на замовлення 4368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW60R041C6FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R041C6FKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IPW60R041C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPW60R041C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |