Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R041C6FKSA1
IPW60R041C6FKSA1

IPW60R041C6FKSA1 Infineon Technologies

ipw60r041c6_2.1_.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+580.27 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R041C6FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 481W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPW60R041C6FKSA1 за ціною від 665.62 грн до 1334.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R041C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 481W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+987.83 грн
3+ 867.2 грн
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW60R041C6_2.1_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304327b897500127f24dd83c3c09 Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+989.38 грн
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipw60r041c6_2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+1016.45 грн
13+ 906.41 грн
50+ 884.03 грн
100+ 754.08 грн
240+ 665.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipw60r041c6_2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1033 грн
10+ 921.16 грн
50+ 898.42 грн
100+ 766.35 грн
240+ 676.46 грн
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : INFINEON INFNS16356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1072.46 грн
10+ 988.58 грн
25+ 896.46 грн
240+ 815.74 грн
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipw60r041c6_2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+1102.11 грн
12+ 1020.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R041C6_DS_v02_01_en-1227340.pdf MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1139.5 грн
10+ 983.49 грн
50+ 823.17 грн
100+ 708.34 грн
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R041C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 481W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1185.4 грн
3+ 1080.67 грн
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipw60r041c6_2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+1334.79 грн
10+ 1216.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipw60r041c6_2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipw60r041c6_2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній