Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R041P6
IPW60R041P6

IPW60R041P6 Infineon Technologies

Infineon_IPW60R041P6_DS_v02_00_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 441 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+838.71 грн
10+584.51 грн
100+424.17 грн
480+376.63 грн
1200+356.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R041P6 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 77.5A, Power dissipation: 481W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 267A, Gate charge: 170nC.

Інші пропозиції IPW60R041P6 за ціною від 992.81 грн до 1527.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R041P6 IPW60R041P6 Infineon Technologies 60ds_ipw60r041p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1527.72 грн
20+1486.68 грн
50+1399.59 грн
100+1268.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 267A
Gate charge: 170nC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+1295.82 грн
9+1149.62 грн
10+1143.01 грн
20+1113.30 грн
30+992.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6 60ds_ipw60r041p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW60R041P6
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1527.72 грн
20+1486.68 грн
50+1399.59 грн
100+1268.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 267A
Gate charge: 170nC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+1295.82 грн
9+1149.62 грн
10+1143.01 грн
20+1113.30 грн
30+992.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.