Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R041P6FKSA1
IPW60R041P6FKSA1

IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies

60ds_ipw60r041p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+578.35 грн
100+549.08 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 481W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

Інші пропозиції IPW60R041P6FKSA1 за ціною від 368.31 грн до 757.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies 60ds_ipw60r041p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+725.57 грн
29+500.06 грн
100+436.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies 60ds_ipw60r041p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+729.31 грн
10+502.64 грн
100+439.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R041P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694fd2814695e Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.41 грн
30+433.27 грн
120+368.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 INFINEON INFNS30560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 481W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R041P6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 60ds_ipw60r041p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW60R041P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+725.57 грн
29+500.06 грн
100+436.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 60ds_ipw60r041p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW60R041P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+729.31 грн
10+502.64 грн
100+439.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 Infineon-IPW60R041P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694fd2814695e
IPW60R041P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+757.41 грн
30+433.27 грн
120+368.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 INFNS30560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R041P6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 481W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 Infineon_IPW60R041P6_DS_v02_00_en.pdf
IPW60R041P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.