Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R045CPAFKSA1
IPW60R045CPAFKSA1

IPW60R045CPAFKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPW60R045CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee38caa259f4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+979.27 грн
30+596.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R045CPAFKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 431W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPW60R045CPAFKSA1 за ціною від 611.08 грн до 1263.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPW60R045CPAFKSA1 IPW60R045CPAFKSA1 INFINEON Infineon-IPW60R045CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee38caa259f4 Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1263.05 грн
5+1262.23 грн
10+1260.58 грн
50+747.53 грн
100+611.79 грн
250+611.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPAFKSA1 Infineon-IPW60R045CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee38caa259f4
IPW60R045CPAFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1263.05 грн
5+1262.23 грн
10+1260.58 грн
50+747.53 грн
100+611.79 грн
250+611.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.