IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 513.47 грн |
| 30+ | 394.93 грн |
| 120+ | 353.37 грн |
| 510+ | 292.6 грн |
| 1020+ | 263.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 201W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW60R045P7XKSA1 за ціною від 275.06 грн до 905.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |