IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 201W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPW60R045P7XKSA1 за ціною від 203.05 грн до 603.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 422400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V |
на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 61A; 201W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 650V Drain current: 61A Power dissipation: 201W Case: TO247 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPW60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |