Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R045P7XKSA1
IPW60R045P7XKSA1

IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipw60r045p7dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 418320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+551.79 грн
209280+506.66 грн
313920+473.90 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 201W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPW60R045P7XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R045P7XKSA1 IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R045P7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045P7XKSA1 IPW60R045P7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0009363779-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045P7XKSA1 Infineon_IPW60R045P7_DS_v02_00_EN.pdf
IPW60R045P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045P7XKSA1 INFN-S-A0009363779-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R045P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.