Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R055CM8XKSA1
IPW60R055CM8XKSA1

IPW60R055CM8XKSA1 Infineon Technologies

infineonipw60r055cm8datasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+345.24 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R055CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R055CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

Інші пропозиції IPW60R055CM8XKSA1 за ціною від 244.37 грн до 669.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R055CM8XKSA1 IPW60R055CM8XKSA1 Infineon Technologies DS_IPW60R055CM8_2_0.pdf Description: IPW60R055CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 400 V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.73 грн
30+291.52 грн
120+244.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CM8XKSA1 IPW60R055CM8XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r055cm8datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.27 грн
10+444.93 грн
100+369.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CM8XKSA1 IPW60R055CM8XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r055cm8datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+669.27 грн
32+444.93 грн
100+369.83 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CM8XKSA1 IPW60R055CM8XKSA1 INFINEON Infineon-IPW60R055CM8-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01952216610b221e Description: INFINEON - IPW60R055CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CM8XKSA1 IPW60R055CM8XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R055CM8_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CM8XKSA1 DS_IPW60R055CM8_2_0.pdf
IPW60R055CM8XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPW60R055CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 400 V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+525.73 грн
30+291.52 грн
120+244.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CM8XKSA1 infineonipw60r055cm8datasheetv0201en.pdf
IPW60R055CM8XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+669.27 грн
10+444.93 грн
100+369.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CM8XKSA1 infineonipw60r055cm8datasheetv0201en.pdf
IPW60R055CM8XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+669.27 грн
32+444.93 грн
100+369.83 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CM8XKSA1 Infineon-IPW60R055CM8-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01952216610b221e
IPW60R055CM8XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R055CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CM8XKSA1 Infineon_IPW60R055CM8_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPW60R055CM8XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.