Інші пропозиції IPW60R060C7XKSA1 за ціною від 299.11 грн до 828.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 162W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Power dissipation: 162W Case: TO247-3 On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 68nC |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 674 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 162W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 195 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 195+ | 387.46 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 402.65 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 402.65 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 513.75 грн |
| 100+ | 487.65 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 162W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 162W
Case: TO247-3
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 162W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 162W
Case: TO247-3
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 615.02 грн |
| 2+ | 531.48 грн |
| 3+ | 392.01 грн |
| 7+ | 370.55 грн |
| 20+ | 358.17 грн |
| 30+ | 357.35 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 664.88 грн |
| 30+ | 376.20 грн |
| 60+ | 344.69 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 674 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 668.92 грн |
| 10+ | 382.67 грн |
| 100+ | 307.16 грн |
| 480+ | 306.43 грн |
| 1200+ | 299.11 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 768.26 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 768.26 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 797.73 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 798.17 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 828.48 грн |
| 28+ | 509.86 грн |
| 100+ | 426.95 грн |
| 480+ | 384.36 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 162W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 162W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







