Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPW60R060P7XKSA1

IPW60R060P7XKSA1

Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
Код товару: 192082
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPW60R060P7XKSA1 за ціною від 269.50 грн до 574.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R060P7XKSA1 IPW60R060P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.21 грн
30+320.50 грн
120+269.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 IPW60R060P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R060P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 IPW60R060P7XKSA1 INFINEON 2718793.pdf Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 164W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 164W
Gate charge: 67nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+473.24 грн
2+404.61 грн
10+312.58 грн
20+282.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
IPW60R060P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+574.21 грн
30+320.50 грн
120+269.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 Infineon_IPW60R060P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPW60R060P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 2718793.pdf
IPW60R060P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 164W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 164W
Gate charge: 67nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.24 грн
2+404.61 грн
10+312.58 грн
20+282.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.