Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R070CFD7
IPW60R070CFD7

IPW60R070CFD7 Infineon Technologies

Infineon_IPW60R070CFD7_DS_v02_01_EN-1732073.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R070CFD7 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.129Ω, Mounting: THT, Power dissipation: 156W, Gate charge: 67nC, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™, Drain current: 20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: PG-TO247-3.

Інші пропозиції IPW60R070CFD7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R070CFD7 IPW60R070CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R070CFD7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 156W
Gate charge: 67nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070CFD7 IPW60R070CFD7.pdf
IPW60R070CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 156W
Gate charge: 67nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.