IPW60R070CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 435.47 грн |
| 30+ | 334.55 грн |
| 120+ | 299.32 грн |
| 510+ | 247.85 грн |
| 1020+ | 223.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R070CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW60R070CFD7XKSA1 за ціною від 218.98 грн до 589.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R070CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R070CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 3675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R070CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW60R070CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW60R070CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW60R070CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW60R070CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |