IPW60R070CM8XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPW60R070CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197173dc084331f
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPW60R070CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1878 pF @ 400 V
на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+369.50 грн
30+200.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R070CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: IPW60R070CM8XKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 201W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 360µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1878 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPW60R070CM8XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPW60R070CM8XKSA1 IPW60R070CM8XKSA1 Infineon Technologies Infineon_03-25-2025_DS_IPW60R070CM8_2_0.pdf MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070CM8XKSA1 Infineon_03-25-2025_DS_IPW60R070CM8_2_0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.